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Si7842DP
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
V GS = 10 V thru 4 V
16
12
8
3V
20
16
12
8
T C = 125 °C
4
2V
4
25 °C
- 55 °C
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.040
0.032
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1000
800
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.024
0.016
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
600
400
C oss
0.008
0.000
200
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
6
12
18
24
30
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
I D = 7.5 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 7.5 A
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
- Total Gate Charge (nC)
T J - Junction Temperature (°C)
Document Number: 71617
S09-0227-Rev. D, 09-Feb-09
Gate Charge
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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